三星在高带宽内存（HBM4）领域取得关键突破，标志着该公司在前代HBM周期中落后竞争对手、引发其AI芯片竞争力担忧后实现重大转折。通过HBM4，三星计划重获技术优势，并在AI内存需求的新一轮浪潮中抢占先机。
据行业消息人士透露，三星在与客户协商后将HBM4出货计划提前约一周。该芯片已早于预期通过英伟达（NVIDIA）的质量测试，显示出行业人士所称的顶级性能。从研发初期，三星就设定了超越联合电子器件工程委员会（JEDEC）全球半导体标准的基准。
为实现这一目标，三星将最新的1c DRAM与4纳米制造工艺结合，业内人士表示这一技术路径此前从未被尝试。HBM4的数据处理速度最高可达11.7千兆比特每秒，较JEDEC的8Gbps基准高出46%，较上一代HBM3E的9.6Gbps快22%。每层堆叠的内存带宽最高达3.3TB/s，是前代产品的2.7倍。
通过12层堆叠技术，该芯片容量最高可达36GB，未来16层版本预计可扩展至48GB。尽管性能提升显著，三星表示HBM4还采用了低功耗设计，旨在降低AI数据中心和服务器的用电量与冷却成本。
三星本周四的量产公告终结了全球三大内存厂商争夺HBM4量产“全球首个”头衔的竞赛。此前数月的竞争在上月财报电话会议后骤然升温。SK海力士率先宣布已实现HBM4规模化生产，三星随即跟进称量产即将启动，美光科技（Micron）则重申按计划推进。随后出现相互矛盾的报道：SK海力士被指已开始出货，三星则传出农历新年假期后启动交付的消息。行业对“全球首个”头衔归属的争议持续发酵，甚至引发对主要客户订单分配的猜测。
美光周三宣布已启动HBM4量产和出货，首席财务官马克·默菲（Mark Murphy）在沃尔夫研究半导体会议上透露，该公司全年HBM4配额已全部售罄。业内认为三星采取了更激进的技术路线，其DRAM和基底芯片均采用最先进制程。相较之下，SK海力士使用1b纳米DRAM与台积电14纳米基底芯片，美光则采用自研DRAM基底设计。韩国加图尔大学半导体学院教授金永燮指出，三星罕见高调强调‘全球首个’，反映出其决心在HBM4及更广泛的AI内存领域保持领先。
随着HBM4量产启动，三星已加速技术路线图。公司计划于今年下半年推出性能增强版HBM4E，并于2027年起提供按需定制的HBM样本。据透露，当前需求强劲，尤其是全球超大规模云服务商（如英伟达）正在自主设计AI芯片。
